%0 Journal Article
%T 嵌于多孔硅的C_（60）的光致发光
%A 阎锋
%A 鲍希茂
%A 吴晓薇
%A 陈慧兰
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 在室温下观察到嵌于多孔硅中的Ｃ６０分子有强可见光发射．除观察到了多晶状态的Ｃ６０分子峰位在７３０ｎｍ的特征谱外，还检测到了与多孔硅毗连或偶联的Ｃ６０分子的发射光谱，其主峰分别出现在６２０ｎｍ和６３０ｎｍ．嵌于多孔硅的Ｃ６０的发光强度增强可用激发载流子由多孔硅向Ｃ６０分子的转移效应解释．
%K 多孔硅
%K 碳60
%K 光致发光
%K 半导体材料
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=19829A1876D9E2A6548804477FF0C0F9&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=59906B3B2830C2C5&sid=72D13CE6C162BDF4&eid=7C8C2BAFC9BA0571&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=5