%0 Journal Article
%T 注氟SIMOX隐埋SiO_2的辐照感生电荷分布特性
%A 竺士炀
%A 林成鲁
%A 高剑侠
%A 李金华
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 对常规工艺制备的ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）材料，注入不同剂量的Ｆ＋并退火，其电容经（６０）Ｃｏγ射线电离辐照后平带电压漂移较小，通过同理论值相比较，说明Ｆ＋的注入减少了ＳＩＭＯＸ隐埋ＳｉＯ２层（ＢＯＸ：ＢｕｒｉｅｄＯＸｉｄｅ）的空穴陷阱浓度，增强了ＳＩＭＯＸ的抗电离辐照能力．
%K 注氟
%K SIMOX
%K 二氧化硅
%K 感生电荷分布
%K 半导体材料
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9F0DF084E1229073E57F76A01E321FB5&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=99A964928ADB4E67&eid=780091CB32840698&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=3