%0 Journal Article
%T Process of Etched-Grating Demultiplexer Based on Silicon-on-Insulator<br>基于SOI材料的刻蚀光栅分波器的制作工艺
%A Wang Wenhui
%A Tang Yanzhe
%A Ge Xiaohong
%A Wu Yaming
%A Yang Jianyi
%A and Wang Yuelin
%A <br>王文辉
%A 唐衍哲
%A 戈肖鸿
%A 吴亚明
%A 杨建义
%A 王跃林
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 研究了基于绝缘材料上的硅（SOI）材料的平面波导刻蚀光栅分波器的主要制作工艺．利用电感耦合等离子体刻蚀（ICP）技术，在SOI材料上制作了垂直度大于89°的光滑的光栅槽面．氧化抛光后刻蚀侧壁的表面均方根粗糙度（RMS）有3nm的改善，达到7.27nm（采样面积6.2μm×26μm）．通过采用集成波导拐弯微镜代替弯曲波导使1×4分波器的器件尺寸仅为20mm×2.5mm．测试结果表明器件实现了分波功能．
%K etched diffraction gratings
%K waveguide turning mirror
%K inductively-coupled-plasma etching
%K silicon-on-insulator
%K demultiplexer<br>刻蚀光栅
%K 波导镜
%K 电感耦合等离子体刻蚀
%K 绝缘材料上的硅
%K 分波器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=EEF67A6AA57BA8AB&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=09E495F616948E78&eid=E22B6B8FE86DD8F9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=11