%0 Journal Article
%T 应变层超晶格Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe和ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)光致发光谱
%A 史向华
%A 柯练
%A 靳彩霞
%A 魏彦峰
%A 凌震
%A 俞根才
%A 王杰
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文报道了分子束外延生长的应变层超晶格Ｚｎ０．７７Ｃｄ０．２３Ｓｅ／ＺｎＳｅ和ＺｎＳｅ／ＺｎＳ０．１２Ｓｅ０．８８的光致发光谱．分析了影响激子线型展宽的主要因素．定量表征了４．４Ｋ下合金涨落和阱厚涨落对线型展宽的贡献．理论分析表明，在低温（４．４Ｋ）下，合金涨落和阱宽涨落对线型展宽起主导作用．对比结果显示，Ｚｎ０．７７Ｃｄ０．２３Ｓｅ／ＺｎＳｅ超晶格的合金涨落和阱宽涨落对线型展宽的贡献大于ＺｎＳｅ／ＺｎＳ０．１２Ｓｅ０．８８超晶格
%K 应变层超晶格
%K 光致发光谱
%K 外延生长
%K 半导体生长
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FBEE9AD3C1449C4505673F4EF315A57A&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=708DD6B15D2464E8&sid=F2947E14627CD734&eid=CE504F5B1E192581&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4