%0 Journal Article
%T 深亚微米PESD MOSFET特性研究及优化设计
%A 孙自敏
%A 刘理天
%A 李志坚
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导较大，且对热载流子效应的抑制能力较强，因此具有比较好的性能．给出了ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ的优化设计方法．当ＭＯＳＦＥＴ尺寸缩小到深亚微米范围时，ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ将成为一种较为理想的器件结构
%K PESD
%K MOSFET
%K 深亚微米
%K 优化设计
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=21BED2FB105BF4A9C8E8DDE302A244E9&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=708DD6B15D2464E8&sid=0075485171F295AA&eid=353B961D86F026C0&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0