%0 Journal Article
%T Effect of Silane Concentration on Intrinsic Microcrystalline Silicon<br>硅烷浓度对本征微晶硅材料的影响
%A Zhu Feng
%A Zhang Xiaodan
%A Zhao Ying
%A Wei Changchun
%A Sun Jian
%A Geng Xinhua
%A <br>朱锋
%A 张晓丹
%A 赵颖
%A 魏长春
%A 孙建
%A 耿新华
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 利用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积微晶硅材料.随硅烷浓度的降低,材料晶化率增加,材料的光学带隙在1.5～1.65eV之间,材料的电导率先增加后减小.采用光发射谱测量技术对辉光进行在线测量,研究沉积条件对VHF等离子体和微晶硅材料特性的影响.实验表明,等离子中的SiH*和H*α对微晶硅材料特性有重要的影响,硅烷浓度为2%～4%时,等离子体中H*α/SiH*的比值处于0.6～0.9,可以得到晶化率在40%～55%的微晶硅材料.
%K VHF-PECVD
%K microcrystalline silicon
%K optical emission spectroscopy<br>VHF-PECVD
%K 微晶硅
%K 光发射谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E90C4BE2B64C1D09&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=59906B3B2830C2C5&sid=967EC9935A34C4F3&eid=2F03362571112972&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=5&reference_num=7