%0 Journal Article
%T 低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si∶Fe固溶体
%A 刘力锋
%A 陈诺夫
%A 张富强
%A 陈晨龙
%A 李艳丽
%A 杨少延
%A 刘志凯
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 利用质量分离的低能离子束方法,以离子能量为1 0 0 0 e V,剂量为3×1 0 1 7cm- 2 ,室温下往p型Si(1 1 1 )单晶衬底注入Fe离子,注入的样品在4 0 0℃真空下进行热处理.俄歇电子能谱法(AES)对原位注入样品深度分析表明Fe离子浅注入到p型Si单晶衬底,注入深度约为4 2 nm.X射线衍射法(XRD)对热处理样品结构分析发现只有Si衬底的衍射峰,没有其他新相.X射线光电子能谱法(XPS)对热处理样品表面分析发现Fe2 p束缚能对应于单质Fe的峰,没有形成Fe的硅化物.这些结果表明重掺杂Fe的Si∶Fe固溶体被制备.电化学C- V法测量了热处理后样品载流子浓度随深度的分布,发现Fe重
%K 硅
%K 铁
%K 低能离子束
%K 重掺杂
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=90DDE13CE0ED3651&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=5D311CA918CA9A03&sid=F131C0ADC94A25CF&eid=E151839C3C081609&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=13