%0 Journal Article
%T Si（337）──另一个较稳定的高密勒指数晶面
%A 邢益荣
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 我们的ＬＥＥＤ实验结果发现：偏离（１１２）约４°的Ｓｔ（３３７）表面，在超高真空中经Ｘｅ离子轰击并加～８００℃退火后，呈现较清晰的（１×１）结构．在同样条件下，Ｓｉ（１１２）表面没有产生好的ＬＥＥＤ图样，从而预料：Ｓｉ（３３７）可能是异质外延ＧａＡｓ和ＧａＰ等极性化台物半导体的好衬底．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5C4FC764EC08D3393A136472F7766AC7&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=0B39A22176CE99FB&sid=58F693790F887B3B&eid=09E495F616948E78&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0