%0 Journal Article
%T HEMT及其界面态效应的二维数值模拟
%A 相奇
%A 罗晋生
%A 朱秉升
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 本文提出了一个调制掺杂异质结界面态模型,并首次将界面态效应引入到HEMT的二维数值模型中.本文用基于异质结漂移-扩散模型建立的 HEMT二维数值模型对常规结构的 AlGaAs/GaAs HEMT进行了模拟,讨论了 HEMT的内部工作机制,特别是异质结效应.本文着重模拟分析了HEMT中界面态对器件性能的影响。模拟结果表明界面态对HEMT的特性有显著的影响.
%K HEMT
%K 调制
%K 掺杂
%K 异质结界面
%K 数值
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8038916F62A7F188&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=5D311CA918CA9A03&sid=3F419E61BD389CC8&eid=3054A11AD1D7E34A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1