%0 Journal Article
%T A Ku Band HFET MMIC VCO with Source Terminal Tuning<br>Ku波段源极调谐HFET MMIC VCO
%A Wang Shaodong
%A Gao Xuebang
%A Wu Hongjiang
%A Wu Ahui
%A <br>王绍东
%A 高学邦
%A 吴洪江
%A 吴阿惠
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 利用S参数分析和负阻分析设计了一个源端调谐的Ku波段HFET单片集成VCO,并获得了一次设计投片成功.提取了GaAs HFET的大信号模型,利用栅源终端阻抗的二维扫描确定了漏极负阻,以此为依据进行输出匹配网络的优化设计.给出了电路制作和测试结果,在17.79～17.89GHz频率上获得了16dBm的输出功率.
%K MMIC
%K VCO
%K HFET
%K GaAs<br>微波单片集成电路
%K 压控振荡器
%K 异质结场效应晶体管
%K 砷化镓
%K 波段
%K 调谐
%K MMIC
%K VCO
%K HFET
%K Tuning
%K Terminal
%K Source
%K 输出功率
%K 频率
%K 测试结果
%K 制作
%K 电路
%K 优化设计
%K 匹配网络
%K 行输出
%K 二维扫描
%K 阻抗
%K 终端
%K 大信号模型
%K GaAs
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6C847C4BE8E4CE1A&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=708DD6B15D2464E8&sid=FEED338A3909FFE2&eid=8C0169D6BEAD5F6C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=6