%0 Journal Article
%T Piezoresistive Effect of Polysilicon Films at High Temperature<br>多晶硅薄膜的高温压阻效应
%A Huo Mingxue
%A Liu Xiaowei
%A Zhang Dan
%A Wang Xilian
%A Song Minghao
%A <br>霍明学
%A 刘晓为
%A 张丹
%A 王喜莲
%A 宋明浩
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 利用LPCVD制备重掺杂多晶硅薄膜,在0～560℃温度范围内对薄膜的压阻效应进行研究,同时对多晶硅薄膜应变系数随温度的变化,以及薄膜的淀积温度与薄膜厚度对应变系数的影响进行了相关的实验研究.结果表明,利用多晶硅材料制作的压敏电阻,其最高工作温度可以达到560℃以上.
%K piezoresistive effect
%K polysilicon
%K gauge factor<br>压阻效应
%K 多晶硅
%K 应变系数
%K 多晶硅薄膜
%K 高温
%K 压阻效应
%K High
%K Temperature
%K Films
%K Polysilicon
%K 工作温度
%K 压敏电阻
%K 材料制作
%K 结果
%K 实验
%K 相关
%K 影响
%K 薄膜厚度
%K 淀积温度
%K 变化
%K 应变系数
%K 研究
%K 温度范围
%K 重掺杂
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F769F1532F94AEE0&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=708DD6B15D2464E8&sid=36AB0E5A289F748B&eid=25F460E3298FB693&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=4