%0 Journal Article
%T Floating Body Effect in Partially Depleted SOI nMOSFET with Asymmetric Structure and Ge-Implantation<br>采用非对称结构和注Ge的部分耗尽SOI nMOSFET的浮体效应(英文)
%A LIU Yunlong
%A Liu Xinyu
%A Han Zhengsheng
%A Hai Chaohe
%A Qian He
%A <br>刘运龙
%A 刘新宇
%A 韩郑生
%A 海潮和
%A 钱鹤
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 研究了一种采用非对称结构和注 Ge的部分耗尽 0 .8μm SOI n MOSFET的浮体效应 ,实验结果表明这种结构能够提高漏端击穿电压约 1V,减轻反常亚阈值斜率和 kink现象 .浮体效应的减少是由于源区的浅结和注 Ge引入的晶体缺陷减少了寄生的横向 npn晶体管的电流增益
%K SOI nMOSFET
%K floating body effect
%K Ge
%K implantation<br>SOInMOSFET
%K 浮体效应
%K 注Ge
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=47AF7967BC822DC4&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=708DD6B15D2464E8&sid=B8D8B337883846D1&eid=CD1AB74EAF0667FF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=8