%0 Journal Article
%T 多孔硅发光峰位波长为370nm的紫外光发射
%A 林军
%A 姚光庆
%A 段家
%A 秦国刚
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 对特定工艺制备的多孔硅进行干氧氧化处理，观察到光致发光峰位波长为３７０ｎｍ左右的紫外光发射．紫外光强度与高温氧化温度有关，当氧化温度为１０００℃时，多孔硅紫外光发射最强，而在１１５０℃温度下氧化５ｍｉｎ，多孔硅纳米硅粒消失后，紫外发射变得很弱．紫外光峰位与氧化温度无关，但在１０００℃氧化的多孔硅光致发光谱中出现附加的位干３６０ｎｍ的发光峰．如认为光激发主要发生在多孔硅的纳米硅粒中，而光发射主要发生在多孔硅中包裹纳米硅的ＳｉＯｘ层中的两种（或多种）发光中心上，则本文的实验能被很好解释．
%K 多孔硅
%K 光致发光
%K 紫外光发射
%K 峰位波长
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8EA78F806DAD3A6A&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=59906B3B2830C2C5&sid=3005465426CC5B70&eid=114891522AE71A91&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=10