%0 Journal Article
%T Preparation of 50mm 3C-SiC/Si(111) as Substrates Suited for Ⅲ-Nitrides<br>可用于Ⅲ族氮化物生长的50mm 3C-SiC/Si(111)衬底的制备(英文)
%A Sun Guosheng
%A <br>孙国胜
%A 张永兴
%A 高欣
%A 王军喜
%A 王雷
%A 赵万顺
%A 王晓亮
%A 曾一平
%A 李晋闽
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 利用新研制出的垂直式低压CVD(L PCVD) Si C生长系统,获得了高质量的5 0 mm 3C- Si C/ Si(111)衬底材料.系统研究了3C- Si C的n型和p型原位掺杂技术,获得了生长速率和表面形貌对反应气体中Si H4 流量和C/ Si原子比率的依赖关系.利用Hall测试技术、非接触式方块电阻测试方法和SIMS,分别研究了3C- Si C的电学特性、均匀性和故意调制掺杂的N浓度纵向分布.利用MBE方法,在原生长的5 0 mm 3C- Si C/ Si(111)衬底上进行了Ga N的外延生长,并研究了Ga N材料的表面、结构和光学特性.结果表明3C- Si C是一种适合于高质量无裂纹Ga N外延生长的衬底或缓冲材料.
%K 3C-SiC/Si(111)衬底
%K LPCVD
%K GaN
%K 3C-SiC/Si(111)
%K LPCVD
%K GaN<br>3C-SiC/Si(111)衬底
%K LPCVD
%K GaN
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2A1F4FFD03D4912C&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=C698B4DF5D56174F&eid=004AE5CF627F0ACA&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=13