%0 Journal Article %T 硅光探测器紫外响应的改善 %A 尹长松 %A 朱晓刚 %J 半导体学报 %D 1997 %I %X 利用透过二氧化硅层进行杂质扩散的方法,获得低表面浓度浅结深并具有漂移自建场的掺杂层,制作最佳厚度的光透射膜,使硅光敏二极管的紫外响应获得改善,得到在254nm波长下响应度达0.18A/W的结果. %K 硅光探测器 %K 紫外响应 %K 硅光电管 %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=659653B6FC109F67&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=C81D738643975BB0&eid=E3D3D8D1B650AE1E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=2