%0 Journal Article %T 用改进的调制光电流相移分析技术研究氢化非晶硅的隙态分布 %A 盛殊然 %A 孔光临 %A 廖显伯 %A 夏传钺 %A 郑怀德 %J 半导体学报 %D 1997 %I %X 本文提出了一种严格校准调制光电流相移的方法,在此基础上,采用调制光电流相移分析技术研究了不掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜费米能级以上隙态密度及其分布的光致变化效应.实验发现,光电流相移的校准对确定隙态密度及其分布是至关重要的.除了核准测试系统的相移频率特性外,还需考虑样品本身电阻、电容等参数的影响,否则会使隙态密度偏低1~2个数量级;经严格校准的光电流相移测试,a-Si:H的隙态分布在导带边以下约0.43eV处观察到一个峰,可能是双占据悬挂键D-中心引起的.光照引起浅态减少,深态增加,引起了隙态重新分布. %K 氢化非晶硅 %K 调制光电流相移 %K 隙态 %K 非晶态半导体 %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9F4A887AFAF6BA1F&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=F9A6B6F259CE5121&eid=5A751AE9FA58A3FB&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2