%0 Journal Article
%T A Novel Empirical Model of I-V Characteristics for LDD MOSFET Including Substrate Current<br>包含衬底电流的LDD MOSFET输出I-V特性的经验模型分析(英文)
%A Yu Chunli
%A Hao Yue
%A Yang Lin''''an
%A <br>于春利
%A 郝跃
%A 杨林安
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 采用双曲正切函数的经验描述方法和器件物理分析方法 ,建立了适用于亚微米、深亚微米的 L DD MOSFET输出 I- V特性解析模型 ,模型中重点考虑了衬底电流的作用 .模拟结果与实验有很好的一致性 .该解析模型计算简便 ,对小尺寸器件中的热载流子效应等能够提供较清晰的理论描述 ,因此适用于器件的优化设计及可靠性分析
%K LDD MOSFET
%K substrate current
%K hot carrier effect
%K deep submicron<br>轻掺杂漏MOS场效应管
%K 衬底电流
%K 热载流子效应
%K 深亚微米
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=66D08F9065E8EE1A&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=0358FC3DBCE8E14D&eid=839A12D3ACF8C715&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=12