%0 Journal Article
%T 微氮硅单晶中新施主的形成特性
%A 杨德仁
%A 樊瑞新
%A 李立本
%A 阙端麟
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 借助于电学测量和低温（８Ｋ）红外分析技术，研究了微氮硅单晶中新施主的形成特性在６５０℃长时间热处理后，微氮硅单晶不产生新施主，其中氮破坏了新施主的可能形核中心低温４５０℃预退火能促进新施主生成，而高温１０５０℃预退火样品则同样没有新施主生成．
%K 微氮硅单晶
%K 施主
%K 硅单晶
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8C2CC09400157F6E&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=60E9AACF61B3107F&eid=D8AE57480552698F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=7