%0 Journal Article
%T InGaAs／GaAs应变层量子阱激光器深中心行为
%A 卢励吾
%A 封松林
%A 周洁
%A 杨国文
%A 徐俊英
%A 郭春伟
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 应用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术研究分子束外延（ＭＢＥ）和二次液相外延（ＬＰＥ）生长的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变层量子季阱激光器深中心行为．在ＭＢＥ激光器的ｎ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ组分缓变层和限制层里，除众所周知的ＤＸ中心外，还观察到有较大俘获截面的深（空穴、电子）陷阱及其相互转化．这些陷阱可能分布在ｘ从０到０．４０和ｘ—０．４０的ｎ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ层里ｘ值不连续的界面附近．而在ＬＰＥ激光器的ｎ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ组分缓变层和限制层里，ＤＸ中心浓度明显减少，且深（空穴、电子）陷阱消失
%K InGaAs
%K 砷化镓
%K 量子阱激光器
%K 激光器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FE4892D661931AC0&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=8C267C8DC97FEEEF&eid=A03A15CF5604A8B0&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=5