%0 Journal Article
%T Si(100)2×1面上钾原子间相互作用和吸附表面结构
%A 周煦炎
%A 施丹华
%A 曹培林
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 本文用原子集团模型和 ASED-MO方法,计算了K在Si(100)2 ×1面上不同吸附位置上的结合能和K-K相互作用能,从不同吸附结构下吸附能的计算结果,讨论了饱和覆盖度下的表面结构问题,支持了由两种类型的吸附K原子键组成的双层结构模型.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C510EDD170A3613C&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=20C3B205768D55E0&eid=2A2AA8B7E19F0DF7&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0