%0 Journal Article
%T 用静压光致发光研究GaAs/AlAs超短周期超晶格导带最低能级的特性
%A 李国华
%A 刘振先
%A 韩和相
%A 汪兆平
%A 江德生
%A Klaus. Ploog
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 在77 K下,0—30 kbar 静压范围内研究了 GaAs/AlAs超短周期超晶格的静压光致发光.测得(GaAs)_1/(AlAs)_1的光致发光峰的压力系数为-1.35 meV/kbar。表明它的导带最低能级具有体材料X谷的特性而不是大多数理论计算所预计的L谷特性.测得(GaAs)_2/(AlAs)_1的光致发光峰的压力系数是8.69meV/kbar.表明它是 GaAs/AlAs超晶格中周期最短的Ⅰ类超晶格.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0BA99F16A3FA51A1&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=94C357A881DFC066&sid=3224764AEAFCF8C2&eid=377D325742940769&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0