%0 Journal Article
%T 形成SOI结构的ELO技术研究
%A 李映雪
%A 张旭光
%A 张美云
%A 陈南翔
%A 王阳元
%A 李树杰
%A 都安彦
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 本文研究了在常压外延系统中,利用 SiCl_4/H_2/Br_2体系在SiO_2上外延横向生长(ELO)单晶硅技术.比较了Br_2和HCl对硅的腐蚀速率,发现前者对娃的腐蚀速率约比后者慢一个数量级,指出Br_2的引入有着重要意义.给出了Br_2和H_2对Si和SiO_2的腐蚀速率曲线,讨论了外延横向生长速率对SOI结构的材料表面形貌的影响.在该 SOI膜上制造了 MOS/SOI器件,其N沟最大电子迁移率为360cm~2/V.s(沟道掺杂浓度为 1×10~(16)/cm~3),源-漏截止电流为 9.4×10~(-10)A/μm.
%K 单晶硅
%K SOI结构
%K 外延生长
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A7B6D27F897FFC2D&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=94C357A881DFC066&sid=EBD6B792C9111B87&eid=8BB50A069C48D50B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=2