%0 Journal Article
%T Effects of Incomplete Ionization of Acceptors on 6H-SiC MOSFET<br>杂质不完全离化对SiC MOSFET的影响
%A 尚也淳
%A 张义门
%A 张玉明
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 在分析 Si C中杂质部分离化时 ,考虑了 Frenkel- Pool效应 ,通过求解 Si C MOS表面空间电荷区中的一维Poisson方程 ,提出了一个新的 Si C MOSFET反型层薄层电荷 (charge- sheet)数值模型 .对 Si C中杂质不完全离化的研究表明 ,杂质原子较大的离化能、高的掺杂浓度以及低温会使不完全离化的影响增强 ,对于 Si C MOSFET,杂质不完全离化的影响主要在亚阈区
%K SiC
%K incomplete ionization
%K MOSFET
%K electrical characteristics<br>SiC
%K 不完全电离
%K MOSFET
%K 电特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5D283F2CA6B712A7&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=68BCD01D0D745EB3&eid=412FA1328E0CB9E9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=7