%0 Journal Article
%T Gold-Silicon Wafer Eutectic Bonding in Piezoresistive Accelerometer Assembling<br>压阻加速度计的Au-Si共晶键合
%A Wang Xiang
%A Zhang Dacheng
%A Li Ting
%A Wang Wei
%A Ruan Yong
%A Li Xiuhan
%A Wang Xiaobao
%A Du Xianfeng
%A <br>王翔
%A 张大成
%A 李婷
%A 王玮
%A 阮勇
%A 李修函
%A 王小保
%A 杜先锋
%J 半导体学报
%D 2003
%I 
%X 通过将压阻加速度计上帽与结构片的键合 ( 36 5℃保温 10min) ,再进行下帽与结构片的键合 ( 380± 10℃保温2 0min) ,成功进行了三层键合 .测得的键合强度约为 2 30MPa.硅片 基体 /SiO2 /Cr/Au层和硅片之间键合时 ,SiO2 溶解而形成CrSi2 硅化物 .共晶反应因Cr层而被推迟 ,键合温度高出共晶温度 2 0℃左右 ,从而避免了由于Au元素向硅中扩入而造成的污染 ,进而避免可能造成的对集成微电子器件性能的影响 .试验还证明硅基体 SiO2 /Cr/Au/Poly Si/Au键合层结构设计模型也遵循这一键合过程中的原子扩散理论.
%K gold
%K silicon
%K eutectic bonding
%K piezoresistive accelerometer<br>金
%K 硅
%K 共晶键合
%K 压阻式加速度计
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5740F18A68105F6B&yid=D43C4A19B2EE3C0A&vid=B91E8C6D6FE990DB&iid=38B194292C032A66&sid=2E01F39B6CBD53DE&eid=50EA2A80A7D254EF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=4&reference_num=9