%0 Journal Article
%T Light-Induced Changes in a-Si∶H Films Studied by Transient Photoconductivity<br>非晶硅薄膜瞬态光电导的光致变化
%A Zhang Shibin
%A Kong Guanglin
%A Xu Yanyue
%A Diao Hongwei
%A Wang Yongqian
%A Liao Xianbo
%A <br>张世斌
%A 孔光临
%A 徐艳月
%A 王永谦
%A 刁宏伟
%A 廖显伯
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 研究了非晶硅薄膜的瞬态光电导的光致变化情况 .用通常的非晶态半导体的瞬态光电流的乘方规律和稳态光电导的扩展指数规律都不能对试验数据进行很好的拟合 ,而采用两个指数函数相加的形式可以对实验数据进行很好的拟合 .这表明非晶硅薄膜长时间的衰退不是由带尾态决定 ,而是由深的陷阱决定的 .两个指数函数的衰退分别对应于距导带 0 .5 2 e V和 0 .5 9e V的两个陷阱 ,这两个陷阱可以被指认为带隙中的荷负电中心 .光照后 ,带隙中的复合中心增加 ,导致电子寿命的减少 ,从而引起光电导的衰退 .
%K amorphous silicon
%K transient photoconductivity
%K light-induced change<br>非晶硅
%K 瞬态光电导
%K 光致变化
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F989B825411FD0B3&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=5D311CA918CA9A03&sid=89FA2FA9891FF61E&eid=5EEA08EFB4616D1C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0