%0 Journal Article
%T 热壁外延ZnSe/GaAs薄膜生长机理的研究
%A 王杰
%A 李喆深
%A 蔡群
%A 陆春明
%A 沈军
%A 王迅
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 本文用四极质谱(QMS)、X射线光电子谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)等手段,对单一源热壁外延(HWB)ZnSe/GaAs 薄膜的生长机理作了一些研究.这些研究主要包括 ZnSe源的蒸发情况以及在不同衬底温度条件下,外延薄膜的化学配比状态.
%K 热壁外延
%K 薄膜
%K 外延生长
%K ZnSe／GaAs
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=DDE64C81C6B3CF8D&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=0B39A22176CE99FB&sid=869807E2D7BED9EC&eid=BB0EA31DB1B01173&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3