%0 Journal Article
%T Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格X-射线双晶衍射的运动学研究
%A 段晓峰
%A 冯国光
%A 王玉田
%A 褚一鸣
%A 刘学锋
%A 盛篪
%A 周国良
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 本文利用X射线双晶衍射对应变层超晶格进行了研究.我们从超晶格的台阶模型出发,运用运动学理论,推导出了X射线衍射强度的表达式,清楚地揭示了合金成分x,应变,层厚比与迴摆曲线强度分布的关系.对Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格双晶X射线衍射强度的模拟结果与实验结果符合很好.
%K GeSi／Si
%K 超晶格
%K 双晶衍射
%K 运动学
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3529BF668140398B56313B84EB6DC10F&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=F3583C8E78166B9E&eid=659D3B06EBF534A7&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=5