%0 Journal Article
%T 用于薄介质栅的PECVD法低温形成SiO_xN_y薄膜及其电学特性
%A 陈蒲生
%A 冯文修
%A 王川
%A 王锋
%A 刘小阳
%A 田万廷
%A 曾绍鸿
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 研究了用作薄介质栅的等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法低温形成的SiOxNy薄膜与其电学特性．探索该薄膜电学特性与微观组分，反应室气压，衬底工作温度，退火致密和金属化后退火等的相互关系．给出了获得电学特性优良的SiOxNy薄膜的优化PECVD工艺条件，同时对实验结果进行了理论分析与讨论．
%K 薄介质栅
%K 薄膜晶体管
%K PECVD法
%K 半导体薄膜技术
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F812CF5FDEEA547B&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=FE17D37BFC90FA6B&eid=DBEE434FCBFED297&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=11