%0 Journal Article
%T 0.2μmT形栅技术在10Gbps激光驱动电路研制中的应用
%A 张海英
%A 刘训春
%A 罗明雄
%A 刘洪民
%A 王润梅
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 0.2μm T形栅制作技术在10 0 mm Ga As激光驱动电路芯片研制中获得了成功的应用.优化的栅制作工艺保证了形貌良好的栅线条,获得了优良的晶体管直流参数和高频性能.栅工艺重复性好,整片内器件性能均匀一致,确保了电路的成功研制.实际电路测试结果表明,在10 0 mm Ga As片上制备的PHEMT驱动电路的芯片测试合格率达到70 %以上,可靠性良好
%K GaAsPHEMT
%K T形栅
%K 激光调制驱动电路
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D8555D0EDFC0BC67&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=65C780F1B91D7CD5&eid=530D9656D932F420&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0