%0 Journal Article
%T CO_2离化团束辐照Si表面形成SiO_2膜的分析
%A 田民波
%A 冯晓东
%A 山田公
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 由CO2离化团束辐照Si表面形成的氧化层的厚度与CO2团束大小及团束能量相关，而其成分接近SiO2在低辐照剂量下，氧化层增厚服从反应规律，而在高剂量下服从扩散规律．
%K 二氧化碳
%K 硅
%K 气体离化团束
%K 二氧化硅
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4AFBF68C38FD8F86&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=B37ED91D1227CC95&eid=8D71AF42ACD39979&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1