%0 Journal Article
%T MOS场效应管的新的电流公式
%A 汤庭鳌
%A 王晓晖
%A 郑大卫
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 本文采用由相似变换方法求解的二维泊松方程的结果直接用于推导近代ＭＯＳ场效应管的电流－电压特性，避免了过去在推导中引进的关于表面势的假设．所得到的电流模型适用于包括亚阈值工作区在内的不同工作区域．计及了纵向电场引起的载流子迁移率下降及速度饱和效应，得到了适用于短沟道ＭＯＳ管的电流公式．
%K 场效应晶体管
%K MOS
%K 电流公式
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=13635C9D3DE8D4D2&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=710C005323C0774A&eid=99A964928ADB4E67&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2