%0 Journal Article
%T 多晶砷化镓薄膜的制备及其性能研究
%A 高元恺
%A 韩爱珍
%A 赵永春
%A 林逸青
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 利用扫描电子显微镜、Ｘ－射线衍射仪，分光光度计和Ｃ－Ｖ测试仪对电沉积法制备的多晶砷化镓薄膜进行了测试．结果表明薄膜的成分接近化学计量的ＧａＡｓ．根据薄膜的光吸收曲线和Ｍｏｔｔ－Ｓｃｈｏｔｔｋｙ曲线计算了带隙值和能级位置．最后，测量了薄膜／电解液结的光电特性．
%K 多晶
%K 砷化镓
%K 薄膜
%K 制备
%K 性能
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D74446A308BC8768&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=2B6C525BCE31A7DA&eid=B28C697BC3A1BA62&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=1