%0 Journal Article
%T InGaAsSb四元固溶体的团簇效应
%A 童玉珍
%A 杨锡震
%A 王占国
%A 周伯骏
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 在Ｏｎａｂｅ工作的基础上，使用对相互作用模型对于Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓ１－ｙＳｂｙ四元固溶体中的团簇效应对在适用于光电通讯材料的若干组分值（ｘ，ｙ）进行了计算．结果表明团簇效应在该系统中严重存在．计算了对分布几率随组分值和温度的变化．对于该效应对固溶隙计算的影响作了讨论．
%K 半导体材料
%K InGaAsSb
%K 固溶体
%K 团簇效应
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=07C6C0A1DC3FE197&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=36C49E1242CC2C7A&eid=66D0A4667FE1A38D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1