%0 Journal Article
%T n型6H-SiC体材料欧姆接触的制备
%A 张玉明
%A 罗晋生
%A 张义门
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文报道了采用Au／NiCr在n型6H－SiC体材料上制备欧姆接触的实验结果，依次蒸发NiCr合金（重量百分比为80％Ni：20％Cr）和金层，高温退火后形成欧姆接触，用改进的四探针法测得最小比接触电阻为8.4e-5·cm2．达到了应用的要求．
%K 碳化硅
%K 材料
%K 欧姆接触
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E3102F847C8932C9D78C7E4D39F1006D&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=5A027C8E6C570AAB&eid=2A92ABD90588B251&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=10&reference_num=0