%0 Journal Article
%T 低能量Ar~＋背面轰击对晶体管特性的影响
%A 李观启
%A 曾绍鸿
%A 黄美浅
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 在完成硅平面晶体管管芯和上部电极制备后，用低能量氩离子束进行背面轰击，能显著增大高频和超高频小功率晶体管的电流放大系数，提高特征频率、功率增益和输入阻抗，减小噪声系数和使击穿特性变硬，而势垒电容和薄层电阻不改变．实验结果和理论分析表明，上述参数的改善与轰击后界面态密度的减小、少数载流子寿命和扩散系数的增大有关．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=BEA041FFF145C94206E81FCF573A3695&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=B31275AF3241DB2D&sid=1A033C02510EFBE6&eid=8F2250DA83AF77B8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0