%0 Journal Article
%T 低阈值InGaAs-GaAs应变层多量子阱激光器
%A 肖建伟
%A 徐俊英
%A 杨国文
%A 徐遵图
%A 张敬明
%A 陈良惠
%A 周小川
%A 蒋健
%A 钟战天
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 采用分子束外延(MBE)和二次液相外延技术(LPE)研制出InGaAs-CaAs折射率缓变分别限制应变层多量子阱(GRINSCH-STL-MQW)掩埋异质结(BH)激光器.在宽接触阈值电流密度1 kA/cm~2的条件下,获得了很低的阈值电流,室温时,腔面未镀膜激光器的阈值电流为5.6mA.(L=120μm,CW.20℃)激射波长为9386A左右.外微分量子效率高达每面0.48mW/mA,最高输出功率大于30mW.
%K 半导体
%K 激光器
%K 应变层
%K 量子阱结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3529BF668140398BDC2323E0EF21AF43&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=E158A972A605785F&sid=B799C1769FCACDC8&eid=30897FA31CA3354D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3