%0 Journal Article
%T 磁场下高纯硅的光热电离谱
%A 朱景兵
%A 刘普霖
%A 史国良
%A 刘卫军
%A 沈学础
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 首次用光热电离法测量了高纯硅在高达4T磁场下剩余杂质电子类氢能级的Zeeman 分裂.由于光热电离法具有高灵敏度与高分辨率的特点,因此能在低至 0.2T磁场下观察到谱线的Zeeman分裂.我们观察到了硅施主束缚态在磁场下的相互耦合现象,并对此作了定性分析.实验表明,光热电离法是研究半导体中浅杂质Zeeman效应的最理想的方法.
%K 磁场
%K 硅
%K 光热电离谱
%K 半导体
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=66D9BEDE0E75E30B&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=E158A972A605785F&sid=E1D946F217E3B046&eid=6CCE24D86D03D083&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=6