%0 Journal Article
%T A Highly Heat-Dissipating SOI High Voltage Power Device with a Variable k Dielectric Buried Layer<br>高散热变k介质埋层SOI高压功率器件
%A Luo Xiaorong
%A Li Zhaoji
%A Zhang Bo
%A <br>罗小蓉
%A 李肇基
%A 张波
%J 半导体学报
%D 2006
%I 
%X 针对常规SOI器件纵向耐压低和自热效应两个主要问题,提出了变k介质埋层SOI(variable k dielectric buried layer SOI,VkD SOI)高压功率器件新结构.该结构在高电场的漏端采用低k介质以增强埋层电场,在高电流密度的源端附近采用高热导率的氮化硅埋层,从而器件兼具耐高压和降低自热效应的优点.结果表明,对于k1=2,k2=7.5(Si3N4),漂移区厚2μm,埋层厚1μm的器件,埋层电场和器件耐压分别达212V/μm和255V,比相同厚度的常规SOI器件的埋层电场和耐压分别提高66%和43%,最高温度降低52%.
%K SOI
%K low k dielectric layer
%K vertical electric field
%K breakdown voltage
%K self-heating effect<br>SOI
%K 低k介质埋层
%K 纵向电场
%K 击穿电压
%K 自热效应
%K 热变
%K 介质
%K 埋层
%K 功率器件
%K Buried
%K Layer
%K Dielectric
%K Variable
%K Power
%K Device
%K 温度降
%K 厚度
%K 器件耐压
%K 漂移区
%K 结果
%K 耐高压
%K 氮化硅
%K 高热导率
%K 近采
%K 源端
%K 高电流密度
%K 高电场
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6D636BF53A21CBBA&yid=37904DC365DD7266&vid=DB817633AA4F79B9&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=C04B8FC2EE0A3178&eid=B48969C8F904F346&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=23