%0 Journal Article
%T 薄层SOI/MOSFET’s热载流子电流的数值模拟
%A 曹建民
%A 吴传良
%A 张文俊
%A 范辉
%A 沈文正
%A 黄敞
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文应用“幸运电子”概念，取代平均电场热载流子模型［１］，利用二维数值计算的方法，建立起一组热载流子向栅氧化层注入的注入电流和栅电流模型（包括热电子和热空穴）．通过分别对ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ和相应的体硅器件模拟计算得出：栅电流和实验数据符合得很好；体硅器件的注入电流和通常一样，最大值发生在Ｖｇ＝Ｖｄ／２处；然而在薄膜（包括中等厚膜）ＳＯＩ器件中，由于存在着前栅、背栅的耦合作用，热载流子电流变化较为复杂．栅电流不能完全表现注入电流的变化情况．准确模拟注入电流是研究薄膜（包括中等厚膜）ＳＯＩ器件热载流子效应所
%K SOI器件
%K 半导体器件
%K MOSFET
%K 热载流子电流
%K VLSI
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FBEE9AD3C1449C450B2C951E97AA3637&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=38B194292C032A66&sid=9F6DA927E843CD50&eid=527AEE9F3446633A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=5