%0 Journal Article
%T 硅基纳米SiC的制备及其微结构分析
%A 李宁生
%A 鲍希茂
%A 廖良生
%A 吴晓华
%A 高义华
%A 张泽
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 在室温下将C+注入硅衬底，注入能量和剂量分别为50keV，2×1016cm－2．经高温退火形成，β-SiC颗粒沉淀．用傅里叶变换红外吸收谱，光电子能谱以及高分辨率透射电镜对注入样品中的纳米β-SiC及其微结构作了分析．
%K 半导体
%K 碳化硅
%K 硅基纳米
%K 微结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FB708B7D15222E77&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=507521DBC725630F&eid=EED44B83FAB71309&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=3