%0 Journal Article
%T MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性研究
%A 牛智川
%A 周增圻
%A 林耀望
%A 李朝勇
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 本文报道了用ＭＢＥ生长轻掺Ｓｉ高迁移率ＧａＡｓ材料的杂质补偿特性实验研究．已得到７７Ｋ温度下迁移率为１６．２e４ｃｍ２／（Ｖ·ｓ）的ＧａＡｓ材料．样品的Ｈａｌｌ测量结果表明：在较低的杂质浓度范围（１e１３ｃｍ－３＜ｎ＜１e１５ｃｍ－３）内，在大体相同的生长温度（５９０℃左右）下，选择适当的生长速率Ｇｒ会增强对浅受主杂质的抑制作用，同时也会抑制Ｓｉ的自补偿效应，减小杂质的补偿度Ｎａ／Ｎｄ之值，从而提高ＭＢＥ外延ＧａＡｓ材料的迁移率．
%K 砷化镓
%K MBE生长
%K 掺杂
%K 硅
%K 杂质补偿
%K 迁移率
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B2A081479BDC7CC8&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=59906B3B2830C2C5&sid=547650636788ED84&eid=F3FF3E69C64937E9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=1