%0 Journal Article
%T 弹性应变及结构参数对InAs/GaAs应变层超晶格能带结构的影响
%A 毕文刚
%A 李爱珍
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 本文报道弹性应变及结构参数对 InAs/GaAs应变层超晶格导带、价带不连续性及其子能带结构的影响.通过分析流体静应力和单轴应力对体材料带边能带位置的影响,确定了 InAs/GaAs超晶格导带及价带能量不连续性,并用包络函数法计算了该超晶格的子能带结构.结果表明:这些量不仅依赖于组成超晶格的两种材料的体性质,而且还依赖于超晶格的晶格常数,势阱、势垒宽度以及材料的应变;通过调节InAs层与 GaAs层的层厚之比,可以使 InAs/GaAs超晶格价带轻空穴处于第Ⅱ类超晶格势当中,从而实现轻空穴与电子、重空穴的空间分离.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=EC1F0503FB654538&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=B31275AF3241DB2D&sid=3356A7630A93A219&eid=2E41258BCB9A7DB2&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0