%0 Journal Article
%T 关于薄SiO_2的高场弛豫电导与击穿机制的研究
%A 许铭真
%A 谭长华
%A 王阳元
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 薄SiO_2的早期高场弛豫电导与原生电子陷阱的俘获及新生正电荷的产生密切相关;中、后期的电导弛豫与新生电子陷阱的产生-俘获过程相关,新生电子陷阱遵从单分子产生规律.一个“新生电子陷阱-新生SiO_2/Si_2O,界面陷阱相关击穿”模型,用以解释薄SiO_2的后期弛豫电导突变失控和不可逆转的失效——脉冲热击穿.
%K 薄SiO2
%K 电导弛豫
%K 击穿机制
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3529BF668140398B352EA187A0E4E4D8&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=94C357A881DFC066&sid=2AC7DCCBBC26ECF8&eid=DFEE4E8C33C95CEF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=7