%0 Journal Article
%T Effects of Oxygen Treatment on Interface Character istics and Composition of Nitrided-Oxide<br>氧处理对氮氧化膜界面特性和组分的影响
%A Li Guanqi/
%A <br>李观启
%A 黄美浅
%A 刘百勇
%J 半导体学报
%D 1990
%I 
%X 实验结果表明,利用O_2 /N_2的低分压再氧化和中间氧化,以及利用O_2/NH_3的掺氧再氮化均能有效地改善氮氧化膜的界面特性,而其优异的电击穿特性则得以保持或稍有改善。在三种氧处理方法中,中间氧化的效果较显著,而掺氧再氮化则呈现较低的抗氧化能力。
%K Oxide
%K Nitride
%K Interface state
%K Defect
%K Breakdown voltage<br>氮氧化膜
%K 界面态
%K 氧处理
%K 组分
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0DACA3C57B1D35C3&yid=8D39DA2CB9F38FD0&vid=708DD6B15D2464E8&iid=708DD6B15D2464E8&sid=8AD9BBE1FAF6BB78&eid=8D95DD1211171525&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0