%0 Journal Article
%T 硅基多孔U-SiC薄膜的电致发光及其机理分析
%A 吴晓华
%A 鲍希茂
%A 李宁生
%A 廖良生
%A 郑祥钦
%J 半导体学报
%D 2000
%I 
%X 单晶硅中注入高剂量的Ｃ＋离子，注入能量为５０ｋｅＶ，经高温退火后形成β－ＳｉＣ沉淀，再经电化学腐蚀形成多孔β－ＳｉＣ，样品表面蒸上一层半透明的金膜，在正向偏压高于２５Ｖ时，可以获得波长约为４４７ｎｍ的蓝光发射，而且该蓝光发射随着电压的升高而增强．文中还将多孔β－ＳｉＣ薄膜的电致发光和其光致发光进行了比较，并讨论了其发光机理
%K SiC薄膜
%K 电致发光
%K 发光机理
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5E164918853A271F&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=659D3B06EBF534A7&iid=0B39A22176CE99FB&sid=B344543C2864D684&eid=6DE26652A1045643&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0