%0 Journal Article
%T 稀土Er离子注入InP的退火及发光特性
%A 章蓓
%A 陈孔军
%A 王舒民
%A 丁晓民
%A 虞丽生
%A 郑婉华
%A 徐俊英
%A 李仪
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 利用离子注入法，以７e１４／ｃｍ２和１e１５／ｃｍ２的剂量对ＩｎＰ进行稀土元素Ｅｒ的掺杂，采用了两种未加淀积膜覆盖的退火方式，在１０Ｋ下均观测到ＩｎＰ中Ｅｒ３＋１．５４μｍ特征光致发光峰．光致发光（ＰＬ）和反射式高能电子衍射给出发光强度和晶格恢复程度与退火条件的依赖关系，结果表明Ｅｒ３＋在ＩｎＰ中的光激活性在很大程度上取决于ＩｎＰ晶格的恢复．
%K 磷化铟
%K 稀土元素
%K 离子注入
%K 发光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9C0B3D027850EABF&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=E158A972A605785F&sid=B8F8200D88DDC7D6&eid=334C61CAF4C8EF4E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2