%0 Journal Article
%T Undoped AlGaN/GaN Microwave Power HEMT<br>非掺杂AlGaN/GaN微波功率HEMT
%A Chen Tangsheng
%A Jiao Gang
%A Xue Fangshi
%A Cao Chunhai
%A Li Fuxiao
%A <br>陈堂胜
%A 焦刚
%A 薛舫时
%A 曹春海
%A 李拂晓
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 报道了研制的Al Ga N / Ga N微波功率HEMT,该器件采用以蓝宝石为衬底的非掺杂Al Ga N/ Ga N异质结构,器件工艺采用了Ti/ Al/ Ni/ Au欧姆接触和Ni/ Au肖特基势垒接触以及Si N介质进行器件的钝化.研制的2 0 0μm栅宽T型布局Al Ga N / Ga N HEMT在1.8GHz,Vds=30 V时输出功率为2 8.93d Bm,输出功率密度达到3.9W/mm ,功率增益为15 .5 9d B,功率附加效率(PAE)为4 8.3% .在6 .2 GHz,Vds=2 5 V时该器件输出功率为2 7.0 6 d Bm ,输出功率密度为2 .5 W/ mm ,功率增益为10 .2 4 d B,PAE为35 .2 % .
%K wide bandgap semiconductor
%K AlGaN/GaN
%K high electron mobility transistor
%K microwave high power<br>宽禁带半导体
%K AlGaN/GaN
%K 高电子迁移率晶体管
%K 微波大功率
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C308FFB603734F64&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=CB423C9A71560A74&eid=AA76E167F386B6B3&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=9&reference_num=8