%0 Journal Article
%T 硅锗分子束外延层表面形貌的扫描隧道显微镜研究
%A 周铁城
%A 蔡群
%A 朱昂如
%A 董树忠
%A 盛篪
%A 俞鸣人
%A 张翔龙
%A 王迅
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 本文用扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）在大气环境中对硅分子束外延生长的一系列样品表面进行了形貌研究．在实空间观测到硅衬底上异质外延生长锗的初期表面形成锗岛，在检测外延生长层表面质量方面对反射式高能电子衍射（ＫＨＥＥＤ）和扫描隧道显微镜进行了比较．
%K 外延生长
%K 分子束外延
%K 硅
%K 锗
%K 显微镜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=BC362C094837AAEC&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=B31275AF3241DB2D&sid=0493D643315CD829&eid=BFB86B6ED3A99B9D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1