%0 Journal Article
%T AlGaAs/GaAs HEMT中界面态对沟道层电场特性影响的二维数值研究
%A 张兴宏
%A 杨玉芬
%A 王占国
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文建立了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ的二维量子模型，这个模型是基于在ＧａＡｓ沟道中用自洽求解薛定谔方程和泊松方程．用二维数值模拟得到了ＨＥＭＴ沟道中横向电场和纵向电场的二维分布，详细研究了不同固定界面态密度对沟道中横向电场和纵向电场的影响．
%K HEMT
%K 二维量子模型
%K 砷化镓
%K 镓铝砷化合物
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FBEE9AD3C1449C45DC39AD323D141CF3&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=38B194292C032A66&sid=AC1578C6BB9EBDEF&eid=E0F6F365E4766526&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=3