%0 Journal Article
%T 低阈值1.3μmInGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器LP┐MOCVD生长
%A 陈博
%A 王圩
%A 汪孝杰
%A 张静媛
%A 朱洪亮
%A 周帆
%A 王玉田
%A 马朝华
%A 张子莹
%A 刘国利
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文报道了用低压－金属有机化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）方法制作１．３μｍ应变补偿多量子阱结构材料．Ｘ射线双晶衍射摇摆曲线可清晰地看到±４级卫星峰和卫星峰间的Ｐｅｎｄｅｌ－ｌｏｓｏｎｇ条纹．整个有源区的平均应变量几乎为零．用掩埋异质结（ＢＨ）条形工艺制备的含一级光栅的ＤＦＢ激光器室温下阈值电流２～４ｍＡ，外量子效率０．３３ｍＷ／ｍＡ，线性输出光功率达３０ｍＷ，边模抑制比（ＳＭＳＲ）大于３５ｄＢ．２０～４０℃下的特征温度Ｔ０为６７Ｋ．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=713A1D28680851B5&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=38B194292C032A66&sid=AD16A18DBD734D13&eid=1D67BE204FBF4800&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0